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厂商型号

JANTX2N3019 

产品描述

Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-39 Bulk

内部编号

277-JANTX2N3019

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:75
最小起订量:1
美国加州
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JANTX2N3019产品详细规格

规格书 JANTX2N3019 datasheet 规格书
集电极最大直流电流 1
最小直流电流增益 50@0.1mA@10V|90@10mA@10V|100@150m...
最高工作温度 200
标准包装名称 TO-205-AF
包装高度 6.6(Max)
安装 Through Hole
Package Diameter 9.4(Max)
最大基地发射极电压 7
Maximum Transition Frequency 400
封装 Bulk
PCB 3
最低工作温度 -65
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 140
供应商封装形式 TO-39
筛选等级 Military
最大集电极发射极电压 80
类型 NPN
引脚数 3
最大功率耗散 800
发射极 - 基极电压VEBO 7 VDC
集电极 - 发射极饱和电压 0.2 V
晶体管极性 NPN
最大功率耗散 800 mW
直流集电极/增益hfe最小值 15 mA
直流电流增益hFE最大值 300 mA
集电极 - 发射极最大电压VCEO 80 VDC
安装风格 Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO 140 VDC
最低工作温度 - 65 C
封装/外壳 TO-5
配置 Single
最高工作温度 + 200 C
连续集电极电流 1 A
集电极电流( DC)(最大值) 1 A
集电极 - 基极电压 140 V
集电极 - 发射极电压 80 V
发射极 - 基极电压 7 V
频率 400 MHz
功率耗散 0.8 W
工作温度范围 -65C to 200C
包装类型 TO-39
元件数 1
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
直流电流增益 50
集电极电流(DC ) 1 A
Pd - Power Dissipation 800 mW
品牌 ON Semiconductor
RoHS RoHS Compliant

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